类型 | 描述 |
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封装 | SOT-23 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 50 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.16A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 50V
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●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 14V
●最大漏极电流Id Drain Current | 160mA/0.16A
●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2.9Ω/Ohm @70mA,OV
●开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | -3/-1.5
●耗散功率Pd Power Dissipation | 360mW/0.36W
●Description & Applications | SIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N channel • Depletion mode • High dynamic resistance
●描述与应用 | SIPMOS®小信号晶体管 •N通道 •耗尽模式 •高动态性
Infineon(英飞凌)
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