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BSS169 H6327
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BSS169 H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:场效应管(MOSFET) BSS169 H6327 PG-SOT-23-3
PDF文件:BSS169 H6327 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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BSS169 H6327 数据手册 (9 页)
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BSS169 H6327 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
功耗0.36 W
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间2.7 ns
输入电容值(Ciss)68pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 mW
下降时间27 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360 mW
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BSS169 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1.10 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSS169 H6327 数据手册

BSS169 H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.48 MByte

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