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BSS169H6327XT
来自 AiPCBA

BSS169H6327XT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
PDF文件:BSS169H6327XT 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
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BSS169H6327XT 数据手册 (10 页)
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BSS169H6327XT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-23-3
通道数1 Channel
漏源极电阻12 Ω
功耗360 mW
阈值电压2.9 V
漏源击穿电压100 V
上升时间2.7 ns
下降时间27 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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BSS169H6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1.1 mm
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BSS169H6327XT 数据手册

BSS169H6327XT 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.48 MByte

BSS169H6327 数据手册

BSS169H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
100V,0.09A,N沟道功率MOSFET
BSS169 H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
BSS169H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V
BSS169H6327XT 数据手册
Infineon（英飞凌）
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