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BSS169H6327XTSA1
来自 AiPCBA

BSS169H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V
PDF文件:BSS169H6327XTSA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BSS169H6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSS169H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
额定功率0.36 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻12 Ω
极性N-CH
功耗360 mW
阈值电压2.9 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)0.17A
上升时间2.7 ns
输入电容值(Ciss)68pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 mW
下降时间27 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360 mW
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BSS169H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSS169H6327XTSA1 数据手册

BSS169H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.48 MByte
BSS169H6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSS169H6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSS169H6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte
BSS169H6327XTSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

BSS169H6327 数据手册

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Infineon（英飞凌）
100V,0.09A,N沟道功率MOSFET
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Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSS169 H6327 PG-SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V
BSS169H6327XT 数据手册
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