| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.5 mm |
| 宽度 | 2.5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -240V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.15A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 10Ω @-150mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| SIPMOS Small-Signal Transistor • P channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = -0.8...-2.0 V 描述与应用| SIPMOS®小信号晶体管 •P沟道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS（TH）=-0.8-2.0 V
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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NXP（恩智浦）
BSS192 P沟道MOS场效应管 -240V -150mA 10ohm SOT-89 marking/标记 KB 高速开关 无二次击穿
Infineon（英飞凌）
BSS192 P沟道MOS场效应管 -240V -150mA 10ohm SOT-89 marking/标记 KB 高速开关 无二次击穿
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS192PH6327FTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
Nexperia（安世）
P 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
NXP（恩智浦）
P 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS192P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
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