| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -250 V |
| 额定电流 | -190 mA |
| 封装 | SOT-89 |
| 功耗 | 1W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 190 mA |
| 上升时间 | 5.20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 104pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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NXP（恩智浦）
BSS192 P沟道MOS场效应管 -240V -150mA 10ohm SOT-89 marking/标记 KB 高速开关 无二次击穿
Infineon（英飞凌）
BSS192 P沟道MOS场效应管 -240V -150mA 10ohm SOT-89 marking/标记 KB 高速开关 无二次击穿
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS192PH6327FTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
Nexperia（安世）
P 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
NXP（恩智浦）
P 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS192P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
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