类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-89-3 |
额定功率 | 1 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 7.7 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1 W |
阈值电压 | 1.5 V |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.19A |
上升时间 | 5.2 ns |
输入电容值(Ciss) | 104pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
下降时间 | 50 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.5 mm |
宽度 | 2.5 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
●· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS192P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
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250V,-0.19A,12Ω,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS192PH6327FTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
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