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BSS192P L6327
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BSS192P L6327 数据手册 (8 页)
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BSS192P L6327 技术参数、封装参数

BSS192P L6327 外形尺寸、物理参数、其它

BSS192P L6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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BSS192 数据手册

NXP(恩智浦)
BSS192 P沟道MOS场效应管 -240V -150mA 10ohm SOT-89 marking/标记 KB 高速开关 无二次击穿
Infineon(英飞凌)
BSS192 P沟道MOS场效应管 -240V -150mA 10ohm SOT-89 marking/标记 KB 高速开关 无二次击穿
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS192PH6327FTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
Nexperia(安世)
P 通道 MOSFET,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
NXP(恩智浦)
P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
Nexperia(安世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS192P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
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