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BSS223PW H6327
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BSS223PW H6327 技术参数、封装参数

BSS223PW H6327 外形尺寸、物理参数、其它

BSS223PW H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
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BSS223 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSS223PWL6327 SOT-323-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
20V,-0.39A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
-20V,-390mA,P沟道功率MOSFET
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