BSS308PEH6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  BSS308PEH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON  BSS308PE H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

30V,80mΩ,-2A P沟道功率MOSFET

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C