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BSS308PEH6327
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BSS308PEH6327 技术参数、封装参数

BSS308PEH6327 外形尺寸、物理参数、其它

BSS308PEH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
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BSS308 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS308PEH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS308PE H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
30V,80mΩ,-2A P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
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