| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 500mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 3.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 294pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 下降时间 | 2.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 0.1 mm |
| 高度 | 1.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
●Infineon
●OptiMOS
●™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
●增强型模式
●雪崩等级
●低切换和传导功率损耗
●无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
●标准封装
●OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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30V,140mΩ,-1.5A,P沟道小信号MOSFET
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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的OptiMOS ™ 3 -P小信号三极管 OptiMOS?-P 3 Small-Signal-Transistor
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