| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 282pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.54 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS315PH6327XTSA1 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -1.5A, SOT-23-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS315P H6327 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -1.5A, SOT-23-3
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
