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BSS64LT1G
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BSS64LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BSS64LT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 60 MHz, 225 mW, 100 mA, 20 hFE 新
PDF文件:BSS64LT1G 数据手册 (3 页)封装尺寸在3 页
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BSS64LT1G 数据手册 (3 页)
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BSS64LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率60 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流100 mA
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗225 mW
增益频宽积60 MHz
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数20 @10mA, 1V
额定功率(Max)225 mW
直流电流增益(hFE)20
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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BSS64LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度3.04 mm
宽度2.64 mm
高度1.11 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSS64LT1G 数据手册

BSS64LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.1 MByte
BSS64LT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
14 页 / 0.05 MByte
BSS64LT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte

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