| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -330 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 360mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 78pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 360 mW |
| 耗散功率(Max) | 360mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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NXP（恩智浦）
NXP BSS83 晶体管, MOSFET, 开关, N沟道, 50 mA, 10 V, 45 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS83PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS83P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
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