| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 4.5 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.42 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
NXP（恩智浦）
16 页 / 0.84 MByte
NXP（恩智浦）
17 页 / 0.95 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
NXP（恩智浦）
P沟道增强型垂直DMOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
Infineon（英飞凌）
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
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