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BST120 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
封装:
SOT-89
描述:
BST120 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-89 marking/标记 LM 高速开关 无二次击穿
Pictures:
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符号图
焊盘图
引脚图
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BST120 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
SOT-89
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.3A
BST120 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
BST120 数据手册
BST120
开发手册
NXP(恩智浦)
3 页 / 0.06 MByte
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示例:
STM32F103
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