BST40 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 250V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 70MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| NPN high-voltage transistors FEATURES Low current (max. 100 mA) High voltage (max. 350 V). APPLICATIONS General purpose switching and amplification. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT89 plastic package. PNP complements:BST16. 描述与应用| NPN高压晶体管 特点 低电流（最大100 mA） 高电压（最大350 V）。 应用 通用的开关和放大。 说明 NPN高压晶体管在SOT89塑料包装。 PNP补充：BST16。