| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.50 A |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 8.50 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.00 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 6Ω @-200mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.5--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| OptiMOS -P Small-Signal-Transistor P-Channel Enhancement mode Super Logic Level (2.5 V rated) 150°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 描述与应用| OptiMOS-P小信号晶体管 P沟道 增强模式 超级逻辑电平（2.5 V额定） 150°C的工作温度 额定雪崩 dv / dt的额定
Infineon（英飞凌）
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INFINEON BSV236SPH6327XTSA1 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-363-6
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BSV236SP P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-363 marking/标记 X2 额定雪崩
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INFINEON BSV236SP H6327 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-363-6
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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