类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | SOT-363-6 |
功耗 | 560 mW |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
上升时间 | 8.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 228pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 560 mW |
下降时间 | 8.5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 560mW (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
长度 | 2 mm |
宽度 | 1.25 mm |
高度 | 0.9 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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INFINEON BSV236SPH6327XTSA1 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-363-6
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BSV236SP P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-363 marking/标记 X2 额定雪崩
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INFINEON BSV236SP H6327 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-363-6
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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