| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 400 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 12.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 225 mW |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 225 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 最小电流放大倍数 | 40 @10mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 120 |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 25 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. 描述与应用| NPN开关晶体管 该设备是专为高速饱和开关 集电极电流10 mA至100 mA的。
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