| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TSDSON |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0016 Ω |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 2.3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 上升时间 | 1.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2100pF @20V(Vds) |
| 下降时间 | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, 表面安装
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