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BSZ025N04LS
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BSZ025N04LS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TSDSON-8
描述:40V,3.2mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSZ025N04LS 数据手册 (12 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSZ025N04LS 数据手册 (12 页)
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BSZ025N04LS 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装TSDSON-8
通道数1 Channel
漏源极电阻2 mΩ
极性N-CH
功耗69 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)40 V
漏源击穿电压40 V
连续漏极电流(Ids)22A
上升时间7 ns
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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BSZ025N04LS 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSZ025N04LS 数据手册

BSZ025N04LS 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.4 MByte
BSZ025N04LS 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ025N04LS 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSZ025N04LS 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ025N04 数据手册

BSZ025N04LSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V
BSZ025N04LS 数据手册
Infineon（英飞凌）
40V,3.2mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
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