Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > BSZ042N06NSATMA1 Datasheet 文档
BSZ042N06NSATMA1
来自 AiPCBA

BSZ042N06NSATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8-FL
描述:INFINEON  BSZ042N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:BSZ042N06NSATMA1 数据手册 (12 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSZ042N06NSATMA1 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSZ042N06NSATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8-FL
额定功率50 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0034 Ω
极性N-Channel
功耗69 W
阈值电压2.8 V
输入电容2000 pF
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @30V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 69W (Tc)
查看数据手册 >

BSZ042N06NSATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.4 mm
宽度3.4 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BSZ042N06NSATMA1 数据手册

BSZ042N06NSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.58 MByte
BSZ042N06NSATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ042N06NSATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
BSZ042N06NSATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
BSZ042N06NSATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.19 MByte

BSZ042N06 数据手册

BSZ042N06NSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSZ042N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.8 V
BSZ042N06NS 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSZ042N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.8 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet