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BSZ0500NSIATMA1
来自 AiPCBA

BSZ0500NSIATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8-FL
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:BSZ0500NSIATMA1 数据手册 (12 页)
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BSZ0500NSIATMA1 数据手册 (12 页)
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BSZ0500NSIATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8-FL
极性N-CH
功耗2.1 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)30A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)3400pF @15V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 69W (Tc)
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BSZ0500NSIATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSZ0500NSIATMA1 数据手册

BSZ0500NSIATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.6 MByte
BSZ0500NSIATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ0500NSIATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
BSZ0500NSIATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ0500 数据手册

BSZ0500NSIATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
BSZ0500NSI 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSZ0500NSI TSDSON-8(3.3x3.3)
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