Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > BSZ0501NSIATMA1 Datasheet 文档
BSZ0501NSIATMA1
来自 AiPCBA

BSZ0501NSIATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8-FL
描述:N沟道 30V 25A 40A
PDF文件:BSZ0501NSIATMA1 数据手册 (12 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSZ0501NSIATMA1 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSZ0501NSIATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8-FL
极性N-CH
功耗50 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @15V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 50W (Tc)
查看数据手册 >

BSZ0501NSIATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BSZ0501NSIATMA1 数据手册

BSZ0501NSIATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.59 MByte
BSZ0501NSIATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ0501NSIATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
BSZ0501NSIATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ0501 数据手册

BSZ0501NSIATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 30V 25A 40A
BSZ0501NSI 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSZ0501NSI TSDSON-8(3.3x3.3)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet