| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TSDSON-8 |
| 额定功率 | 69 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.005 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 69 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3800pF @30V(Vds) |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 69 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.4 mm |
| 宽度 | 3.4 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
●OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●快速切换 MOSFET，用于 SMPS
●优化技术，用于直流/直流转换器
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●N 通道，逻辑电平
●极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
●极低导通电阻 R DS(on)
●无铅电镀
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Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ067N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ067N06LS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon（英飞凌）
60V,20A,6.7mΩ,单N沟道功率MOSFET
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