| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TAPE |
| 功耗 | 2.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 2.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1700pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 2.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSGATMA1, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
Infineon（英飞凌）
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