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BSZ110N08NS5ATMA1
来自 AiPCBA

BSZ110N08NS5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8-FL
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:BSZ110N08NS5ATMA1 数据手册 (12 页)
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BSZ110N08NS5ATMA1 数据手册 (12 页)
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BSZ110N08NS5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8-FL
额定功率50 W
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻16.3 mΩ
极性N-Channel
功耗50 W
阈值电压2.2 V
漏源极电压(Vds)80 V
漏源击穿电压80 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @40V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50W (Tc)
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BSZ110N08NS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSZ110N08NS5ATMA1 数据手册

BSZ110N08NS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.36 MByte
BSZ110N08NS5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ110N08NS5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSZ110N08NS5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ110N08NS5 数据手册

BSZ110N08NS5 数据手册
Infineon（英飞凌）
80V,11mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
BSZ110N08NS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
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