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BSZ150N10LS3GATMA1
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BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8
描述:INFINEON  BSZ150N10LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.7 V 新
PDF文件:BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSZ150N10LS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8
额定功率63 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.013 Ω
极性N-Channel
功耗63 W
阈值电压1.7 V
输入电容1900 pF
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间4.6 ns
输入电容值(Ciss)2500pF @50V(Vds)
额定功率(Max)2.1 W
下降时间3.9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 63W (Tc)
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BSZ150N10LS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册

BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.47 MByte
BSZ150N10LS3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ150N10LS3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
BSZ150N10LS3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ150N10LS3 数据手册

BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSZ150N10LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.7 V 新
BSZ150N10LS3 G 数据手册
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N沟道 100V 40A
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