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BSZ160N10NS3 G
来自 AiPCBA

BSZ160N10NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON
描述:INFINEON  BSZ160N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:BSZ160N10NS3 G 数据手册 (9 页)
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BSZ160N10NS3 G 数据手册 (9 页)
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BSZ160N10NS3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON
针脚数8 Position
漏源极电阻0.014 Ω
极性N-Channel
功耗63 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @50V(Vds)
额定功率(Max)63 W
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)63 W
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BSZ160N10NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.4 mm
宽度3.4 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSZ160N10NS3 G 数据手册

BSZ160N10NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.44 MByte
BSZ160N10NS3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ160N10NS3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSZ160N10NS3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ160N10NS3 数据手册

BSZ160N10NS3 数据手册
Infineon（英飞凌）
BSZ160N10NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSZ160N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V
BSZ160N10NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSZ160N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V
BSZ160N10NS3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
100V,40A,N沟道功率MOSFET
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