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BSZ240N12NS3 G
来自 AiPCBA

BSZ240N12NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8
描述:N沟道 120V 37A
PDF文件:BSZ240N12NS3 G 数据手册 (9 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
BSZ240N12NS3 G 数据手册 (9 页)
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BSZ240N12NS3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8
通道数1 Channel
功耗66 W
漏源极电压(Vds)120 V
输入电容值(Ciss)1900pF @60V(Vds)
额定功率(Max)66 W
耗散功率(Max)66W (Tc)
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BSZ240N12NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
高度1.10 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSZ240N12NS3 G 数据手册

BSZ240N12NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.5 MByte
BSZ240N12NS3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ240N12NS3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSZ240N12NS3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
BSZ240N12NS3 G 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.07 MByte

BSZ240N12NS3 数据手册

BSZ240N12NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 120 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V
BSZ240N12NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 120V 37A
BSZ240N12NS3G 数据手册
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