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BSZ440N10NS3GATMA1
来自 AiPCBA

BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON
描述:INFINEON  BSZ440N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册 (12 页)
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BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册 (12 页)
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BSZ440N10NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON
额定功率29 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.038 Ω
极性N-Channel
功耗29 W
阈值电压2.7 V
输入电容480 pF
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)5.3A
上升时间1.8 ns
输入电容值(Ciss)480pF @50V(Vds)
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)29000 mW
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BSZ440N10NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.4 mm
宽度3.4 mm
高度1.1 mm
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BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册

BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.94 MByte
BSZ440N10NS3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ440N10NS3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
124 页 / 1.58 MByte
BSZ440N10NS3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ440N10NS3 数据手册

BSZ440N10NS3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSZ440N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.7 V
BSZ440N10NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSZ440N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.7 V
BSZ440N10NS3G 数据手册
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100V,44mΩ,18A,N沟道功率MOSFET
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