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BTS112A
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BTS112A 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:TEMPFET （N沟道增强型温度传感器晶闸管特性） TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
PDF文件:BTS112A 数据手册 (10 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
BTS112A 数据手册 (10 页)
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BTS112A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻150 mΩ
功耗40 W
漏源击穿电压60 V
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)360pF @25V(Vds)
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)40000 mW
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BTS112A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
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BTS112A 数据手册

BTS112A 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.56 MByte
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