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BU406
来自 AiPCBA

BU406 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
PDF文件:BU406 数据手册 (3 页)
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焊盘图
引脚图
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BU406 数据手册 (3 页)
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BU406 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率10 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流7.00 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗60 W
增益频宽积6 MHz
击穿电压(集电极-发射极)200 V
集电极最大允许电流7A
最小电流放大倍数10
额定功率(Max)60 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)60000 mW
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BU406 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.28 mm
宽度4.82 mm
高度9.28 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量50
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BU406 数据手册

BU406 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.06 MByte
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31 页 / 0.08 MByte
BU406 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.14 MByte
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