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BU508AF
来自 AiPCBA

BU508AF 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:ISOWATT-218
描述:对于标准清晰度CRT显示器高压NPN功率晶体管 High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display
PDF文件:BU508AF 数据手册 (11 页)封装尺寸在8 页9 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BU508AF 数据手册 (11 页)
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BU508AF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装ISOWATT-218
极性NPN
功耗50 W
击穿电压(集电极-发射极)700 V
最小电流放大倍数10 @100mA, 5V
额定功率(Max)50 W
直流电流增益(hFE)30
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)50000 mW
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BU508AF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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BU508AF 数据手册

BU508AF 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.2 MByte

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