Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > BUV22 Datasheet 文档
BUV22
来自 AiPCBA

BUV22 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-204-2
描述:SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
PDF文件:BUV22 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BUV22 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BUV22 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)250 V
额定电流40.0 A
封装TO-204-2
极性NPN
功耗250 mW
击穿电压(集电极-发射极)250 V
集电极最大允许电流40A
最小电流放大倍数20 @10A, 4V
最大电流放大倍数60
额定功率(Max)250 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
查看数据手册 >

BUV22 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
长度38.86 mm
宽度26.67 mm
高度8.51 mm
工作温度-65℃ ~ 200℃ (TJ)
最小包装数量100
查看数据手册 >

BUV22 数据手册

BUV22 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.06 MByte
BUV22 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
22 页 / 0.07 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet