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BUV26
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BUV26 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:中功率NPN硅晶体管 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR
PDF文件:BUV26 数据手册 (4 页)原理图在1 页
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焊盘图
引脚图
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BUV26 数据手册 (4 页)
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BUV26 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)90.0 V
额定电流14.0 A
封装TO-220-3
极性NPN
功耗85 W
击穿电压(集电极-发射极)90 V
额定功率(Max)85 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)85000 mW
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BUV26 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度175℃ (TJ)
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BUV26 数据手册

BUV26 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.05 MByte
BUV26 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.07 MByte
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