类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 2 Pin |
额定电压(DC) | 450 V |
额定电流 | 15.0 A |
封装 | TO-3 |
额定功率 | 175 W |
针脚数 | 2 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 175 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 450 V |
最小电流放大倍数 | 8 @8A, 5V |
额定功率(Max) | 175 W |
工作温度(Max) | 200 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 175000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tray |
材质 | Silicon |
长度 | 39.5 mm |
宽度 | 26.2 mm |
高度 | 8.7 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ON Semiconductor(安森美)
SITCHMODE II系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE II Series NPN Silicon Power Transistors
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