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BUZ307

来自 AiPCBA

BUZ307 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
封装:	TO-218
描述:	SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

BUZ307 数据手册 (9 页)

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BUZ307 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-218
极性	N-CH
漏源极电压(Vds)	800 V
连续漏极电流(Ids)	3A
上升时间	60 ns
输入电容值(Ciss)	1400pF @25V(Vds)
下降时间	50 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	75000 mW

BUZ307 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete

BUZ307 符合标准

BUZ307 数据手册

BUZ307 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.11 MByte

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