类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 21.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 125 W |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-Channel |
功耗 | 125000 mW |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 21.0 A |
上升时间 | 70 ns |
输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 125 W |
下降时间 | 90 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
长度 | 10 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 9.25 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30AH3045AATMA1, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30AHXKSA1, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
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Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
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SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
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