类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220 |
额定功率 | 125 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.1 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 125 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 21A |
上升时间 | 70 ns |
输入电容值(Ciss) | 1400pF @25V(Vds) |
下降时间 | 90 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 9.25 mm |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
Infineon(英飞凌)
10 页 / 1.39 MByte
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30AH3045AATMA1, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Siemens Semiconductor(西门子)
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SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
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SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
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