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BUZ31
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BUZ31 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
PDF文件:BUZ31 数据手册 (10 页)
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焊盘图
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BUZ31 数据手册 (10 页)
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BUZ31 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流14.5 A
封装TO-220-3
漏源极电阻200 mΩ
极性N-Channel
功耗95 W
阈值电压3 V
输入电容1.12 nF
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)14.5 A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)1120pF @25V(Vds)
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)95W (Tc)
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BUZ31 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BUZ31 数据手册

BUZ31 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.44 MByte
BUZ31 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
20 页 / 2.6 MByte
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