类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.16 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 95 W |
阈值电压 | 1.6 V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
上升时间 | 80 nS |
输入电容值(Ciss) | 1600pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 95 W |
下降时间 | 65 nS |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 95W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
长度 | 10.36 mm |
宽度 | 4.57 mm |
高度 | 9.45 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 200 V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.72 MByte
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON BUZ31L H 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V
Siemens Semiconductor(西门子)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件