| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 40W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.5A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 840pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO220-3
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
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Intersil（英特矽尔）
5.8A ， 200V ， 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 5.8A, 200V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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