| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 400 mΩ |
| 功耗 | 40 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 上升时间 | 40 nS |
| 输入电容值(Ciss) | 530pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 下降时间 | 30 nS |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
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5.8A ， 200V ， 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 5.8A, 200V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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