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BUZ80
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BUZ80 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-220
描述:SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
PDF文件:BUZ80 数据手册 (9 页)封装尺寸在9 页
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BUZ80 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-220
上升时间65 ns
输入电容值(Ciss)900pF @25V(Vds)
下降时间65 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100000 mW
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BUZ80 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
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BUZ80 数据手册

BUZ80 数据手册
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