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BVSS123LT1G
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BVSS123LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:100V,6Ω,170mA,单N沟道功率MOSFET
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BVSS123LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
漏源极电阻6 Ω
极性N-CH
功耗225 mW
阈值电压2.6 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)0.17A
输入电容值(Ciss)20pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)225mW (Ta)
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BVSS123LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BVSS123LT1G 数据手册

BVSS123LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
BVSS123LT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.16 MByte
BVSS123LT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.14 MByte
BVSS123LT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.71 MByte

BVSS123LT1 数据手册

BVSS123LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
100V,6Ω,170mA,单N沟道功率MOSFET
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