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BVSS138LT1G
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BVSS138LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:BVSS138L 系列 50 V 200 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 Mosfet - SOT-23-3
PDF文件:BVSS138LT1G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
典型应用电路图在1 页
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焊盘图
引脚图
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BVSS138LT1G 数据手册 (5 页)
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BVSS138LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
漏源极电阻3.5 Ω
极性N-Channel
功耗225 mW
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)50 V
连续漏极电流(Ids)0.2A
输入电容值(Ciss)50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)225 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)225mW (Ta)
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BVSS138LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BVSS138LT1G 数据手册

BVSS138LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
BVSS138LT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.17 MByte
BVSS138LT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.71 MByte

BVSS138LT1 数据手册

BVSS138LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
BVSS138L 系列 50 V 200 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 Mosfet - SOT-23-3
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