| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | SMA |
| 正向电压 | 1.10 V |
| 反向恢复时间 | 4000 ns |
| 正向电流(Max) | 1.5 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
反向电压VrReverse Voltage| 1000V \---|--- 平均整流电流IoAverAge Rectified Current| 1.5A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.15V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4μS 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Silicon Mesa SMD Rectifier Controlled avalanche characteristics Glass passivated junction Low reverse current High surge current capability Wave and reflow solderable 描述与应用| 硅梅萨整流SMD 受控雪崩特性 玻璃钝化结 低反向电流 高浪涌电流能力 波和回流焊接
VISHAY（威世）
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标准恢复整流器，1.5A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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标准恢复整流器，1.5A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY BYG10Y-E3/TR 标准功率二极管, 单, 1.6 kV, 1.5 A, 1.15 V, 4 µs, 30 A
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标准恢复整流器，1.5A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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标准恢复整流器，1.5A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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VISHAY BYG10D-E3/TR 标准恢复二极管, 雪崩, 单, 200 V, 1.5 A, 1.15 V, 4 µs, 30 A
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1.5A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器
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