BZT52C12S 数据手册 - CJ（长电科技）

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BZT52C12S 技术参数、封装参数

类型	描述
最小包装数量	3000

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4 页 / 0.51 MByte

CJ（长电科技）

BZT52C12 编带

MDD（辰达半导体）

BZT52C12 编带

Diotec Semiconductor

Vishay Semiconductor（威世）

小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes

SLKOR（韩国萨科微）

最大功率：500mW 反向漏电流：0.1uA @ 8.0V 稳压值(典型值）：12V SOD-123

Multicomp

MULTICOMP BZT52C12 单管二极管齐纳, BZT52C系列, 12 V, 410 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C

Diodes（美台）

单管二极管齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

Taiwan Semiconductor（台湾半导体）

500mW，BZT52C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管电压容差为 5% 表面安装外壳：SOD-123F ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor

DC Components

Diodes（美台）

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